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AM: Magnetismus

AM 2: Magnetowiderstand und Magnetoimpedanz dünner Schichten

AM 2.9: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 12:30–12:45, H23

Mikrofabrizierte magnetische Tunnelelemente mit Coulomb- und Spin-Blockade-Verhalten — •H. Brückl^1,2, H. Vinzelberg², M. Bertram², I. Mönch², J. Schumann² und G. Reiss¹ — ¹Universität Bielefeld, Fakultät Physik, Universitätsstr. 25, D-33615 Bielefeld — ²Institut für Festkörper- und Werkstofforschung, Postfach 270016, D-01171 Dresden

In der Informationstechnologie wird nach neuen Möglichkeiten gesucht, die Datendichte immer weiter zu erhöhen. Als aussichtsreiche Kandidaten für zukünftige Speicher- und Logikelemente werden metallische Bauelemente diskutiert, die entweder mit einzelnen Elektronen schalten (Stichwort: Einzelelektronik) oder den Elektronen-Spin als schaltbaren Freiheitsgrad nutzen (Stichwort: Magnetoelektronik). Mit Hilfe von Photo- und Elektronenstrahl-Lithographie haben wir kleinflächige Tunnelelemente aus Permalloy/Aluminiumoxid/Kobalt hergestellt, die sowohl Coulomb- als auch Spin-Blockade- Verhalten in den Strom-Spannungs-Kennlinien und Magnetowiderstands-Messungen zeigen. Es wurde ein Tunnel-Magnetowiderstand von bis zu 14% bei 4.2 K gefunden. Untersuchungen zur Temperatur- und Biasstrom-Abhängigkeit von 30 mK bis Raumtemperatur und bis zu kleinsten Strömen (20 pA) werden vorgestellt.