Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 1: Hauptvortrag

HL 1.1: Hauptvortrag

Montag, 23. März 1998, 09:30–10:30, H1

SiC: Polare Eigenschaften und ihr Einfluß auf Technologie und Bauelemente — •R. Helbig — Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7 A3, 91058 Erlangen

Siliziumkarbid (SiC) ist eines der tetraedrisch koordinierten Halbleitermaterialien mit großem Bandabstand, bei dem die Valenzelektronendichte allerdings sehr asymmetrisch verteilt ist. Fast die ganze Valenzelektronendichte ist beim C-Atom lokalisiert.

SiC ist daher piezoelektrisch, besitzt eine starke „ Reststrahlenabsorption“, die nur ein schmales spektrales Fenster zur Untersuchung der Absorption (elektronischer und vibronischer Übergänge) offenläßt.

Die „Polarität“ der Si-C-Bindung hat Einfluß auf die physico-chemischen Eigenschaften, die für die Herstellungstechnologie (z.B. Oxidation, Reaktives Ionenätzen u.a.) von elektronischen Bauelementen von Bedeutung sind. Auch für die Herstellung elektronischer Bauelemente müssen die anisotropen Eigenschaften beachtet werden.