Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 10: Si/Ge
HL 10.9: Talk
Monday, March 23, 1998, 18:00–18:15, H13
Die Bestimmung der minimalen Schichtdicke von Si-Ge-Filmen, die für das Entstehen eines ”Electron Channeling Pattern” notwendig ist — •M. Grimm, R. Butz und D. Guggi — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich
Elastisch verspannte Si0.8Ge0.2-Filme wurden auf (001)-Si gewachsen. Mit ”SAECP” (”Selected Area Electron Channelling Pattern”) wurde jeweils die tetragonale Verzerrung im Rasterelektronenmikroskop bestimmt. Mit wachsender Filmdicke ergab sich bei 38 nm eine Diskontinuität von 0 % auf 1,3 %. 38 nm ist also eine obere Grenze für diejenige Filmdicke, die notwendig ist, ein SAECP-Diagramm zu erzeugen. Dieses Ergebnis wird mit denen anderer Experimente verglichen.