Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Quantenpunkte I

HL 11.12: Talk

Monday, March 23, 1998, 18:45–19:00, H1

Wachstumsstudien an selbstorganisierten InAs/GaAs-Quantenpunkten mit Photolumineszenz — •L. Chu, M. Arzberger, G. Böhm und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, 85748 Garching

Der Stranski-Krastanow-Wachstumsmodus stellt eine vielversprechende Möglichkeit dar, Quantenpunkte während des epitaktischen Wachstums mit hoher Dichte defektfrei herzustellen.

Um die Eigenschaften der selbstorganisierten InAs/GaAs-Quantenpunkte zu optimieren, wurden Proben bei unterschiedlichen Bedingungen mit Molekularstrahlepitaxie gewachsen und mit Photolumineszenz bei 300 K und bei 4.2 K mit verschiedenen Anregungsleistungen charakterisiert. Es zeigt sich, daß neben der abgeschiedenen InAs-Menge v. a. die Wachstumstemperatur, die zwischen 480^∘C und 550^∘C variiert wurde, die Größe der Quantenpunkte beeinflußt. Um die Intensität der Raumtemperaturphotolumineszenz der bei 480^∘C gewachsenen InAs-Quantenpunkte zu steigern, wurde der Einfluß des As₄-Druckes während des Wachstums studiert.

Proben mit einer bzw. drei Lagen InAs-Quantenpunkte wurden bei verschiedenen Temperaturen getempert, um die maximale Substrattemperatur für nachfolgende Epitaxieschichten zu bestimmen, bei der noch keine nachteiligen Effekte auf die Quantenpunkte — z.B. InAs/GaAs-Interdiffusion — auftreten. Erst ab ca. 700^∘C ist eine Veränderung der Photolumineszenzspektren zu beobachten.