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HL: Halbleiterphysik

HL 16: GaN I

HL 16.8: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 12:15–12:30, H15

Gitterplatzbestimmung und Lumineszenzverhalten der Seltenen Erden in Galliumnitrid — •U. Vetter¹, M. Dalmer¹, C. Ronning¹, A. Stötzler¹, H. Hofsäss¹, M.D. Bremser² und R.F. Davis² — ¹Fakultät für Physik, Universität Konstanz — ²North Carolina State University, Raleigh, NC, USA

Die 1.54 µm 4f-Lumineszenz von Er wird selbst bei RT nach Ionenmplantation in GaN beobachtet. Die Intensität hängt dabei von der Implantationsdosis und zusätzlichen Fremdatomen wie Sauerstoff ab. In dieser Arbeit untersuchten wir die Gitterplätze von Fremdatomen der seltenen Erden nach Implantation in GaN. Dazu wurden radioaktives ¹⁶⁷Tm und ¹⁶⁹Yb in GaN Schichten implantiert. Die Gitterplatzanteile der Fremdatome wurden mit Hilfe der Emissions-Channeling-Methode als Funktion der Anlaßtemperatur und der Dosis von implantiertem Sauerstoff bestimmt. Das Lumineszenverhalten der implantierten Proben wurde nach dem Zerfall in den Grundzustand untersucht. Wir finden selbst direkt nach der Implantation den Einbau von Er und Tm auf nahezu substitutionelle Plätze. Nachträgliche O-Implantation verändert den Gitterplatz der Er- und Tm-Fremdatome praktisch nicht zeigen jedoch deutliche Veränderungen im Lumineszenzverhalten.