Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.109: Poster

Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A

Vergleichende rastersondenmikroskopische Untersuchungen an III-V Halbleiternanostrukturen — •S. Dressel¹, H. Gräfe¹, J. Christen¹, M. Kappelt², D. Bimberg² und H. Nakashima³ — ¹Inst. f. Exp. Physik, Otto-v.-Guericke Univ. Magdeburg — ²Inst. f. FKP, TU Berlin — ³ISIR, Osaka-Univ., Japan

Für die Untersuchung von Halbleiternanostrukturen ist es von besonderem Interesse, die Real-Morphologie der Quantenheterostruktur in atomarer Auflösung darzustellen. Eine herkömmliche, aber präparativ aufwendige, Methode ist die Transmissionselektronenmikroskopie, die jedoch sehr empfindlich auf Verspannungen in gitterfehlangepaßten Heterostrukturen reagiert. Im vorliegenden Beitrag werden rasterkraftmikroskopische Abbildungen selbstorganisierter InGaAs Quantenfäden, gewachsen in V-Gräben, vorgestellt [1]. Weiterhin erfolgen Messungen an selbstorganisierten GaAs- und InGaAs-Quantenfäden auf vizinalen [110]-Flächen. Die Proben werden an Luft gebrochen. Entsprechend dem unterschiedlichen Oxydationsverhalten ist die Schichtstruktur im Topographiekontrast nachweisbar [2]. Um atomare Auflösung zu erreichen, werden rastertunnelmikroskopische Messungen an im UHV gespaltenen Querschnittsflächen durchgeführt. Mit dieser Methode ist über die Messung des Tunnelstromes der Materialkontrast direkt nachweisbar. [1] M.Kappelt, V.Türck, M.Grundmann, H.Cerva, D.Bimberg, J. Crystal Growth 170 (1997) 590 [2] F.Reinhardt, B.Dwir, E.Kapon, Appl.Phys.Lett. 68, 3168 (1996)