Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.123: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Strukturelle Entwicklung MBE gewachsener GaAs(001)-Oberflächen während Wachstumsunterbrechungen — •T. Franke, P. Kreutzer, T. Zacher, W. Naumann, C. Heyn und R. Anton — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg

Die strukturelle Entwicklung von mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf GaAs(100)- Substraten abgeschieden GaAs-Oberflächen wurde während Wachstumsunterbrechung unter Arsen-Gegendruck untersucht. In-situ RHEED-Untersuchungen zeigen eine deutliche Anisotropie der Erholkinetik. Die Erholung der Oberfläche verläuft bei gleichen Temperaturen entlang der [1, 1, 0]-Richtung um einen Faktor 5 langsamer gegenüber der gut untersuchten [1 ,1 ,0]-Richtung. Zur Bestimmung der Aktivierungsenergien der beobachteten Prozesse wurde die Substrattemperatur variiert. Untersuchungen der Oberflächen mittels Rasterkraft- (AFM) und Reflexionselektronenmikroskopie (REM) stützen die RHEED-Ergebnisse. Als Erklärungsmodell für diese Entwicklung der Oberfläche wird die Diffusion von GaAs-Molekülen auf der Oberfläche eingeführt.