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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.28: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Kompensationseffekte in Mg–dotiertem GaN — •U. von Gfug1, L. Eckey1, J. Holst1, A. Hoffmann1, B. Schineller2, K. Heime2, M. Heuken3, O. Schön3 und R. Beccard3 — 1Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2Institut für Halbleiterphysik, RWTH Aachen — 3AIXTRON GmbH, 52072 Aachen
Mit Hilfe von Tieftemperatur–Photolumineszenz wird die Kompensation in
Mg–dotiertem GaN untersucht. Dazu stehen uns GaN:Mg–Proben mit
unterschiedlicher Dotierung und Leitfähigkeit zur Verfügung.
Die Messungen zeigen, daß der Kompensationsmechanismus
mit der Dotierung direkt korreliert ist. In intensitätsabhängigen
Untersuchungen werden drei tiefe Donatorniveaus 240, 350 und 850 meV
unterhalb des Leitungsbandes gefunden. Diese sind für das Auftreten
von breiten, unstrukturierten Donator–Akzeptor–Paarbanden
verantwortlich.