Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.29: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Einfluß der Oberflächenphotospannung auf Photoemissionsmessungen an der GaN(0001) Oberfläche — •R. Weber, J. Wichert, R. Adelung, C. Halm, L. Kipp und M. Skibowski — Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Kiel, D–24118 Kiel

Es werden mit Synchrotronstrahlung an der mit einem SX-700 Monchromator ausgestatteten BW3-Beamline (15-1800eV) bei HASYLAB durchgeführte Photoemissionsmessungen an der GaN(0001)-Oberfläche vorgestellt. Die Messungen zeigen eine durch ionisierte Oberflächenstörstellen erzeugte Bandverbiegung, deren Größe durch gezielte Variation von Temperatur und Lichtintensität (Surfacephotovoltage-Effekt, SPV-Effekt) verändert wurde. Daraus gewonnene Ergebnisse wie die Bestimmung der Lage des Valenzbandmaximums im Volumen werden bei der Auswertung von Energieverteilungskurven des Valenzbandbereiches, sowie bei Röntgenabsorbtionsmessungen (XANES) zur Untersuchung unbesetzter elektronischer Zustände bzw. der Leitungsbandstruktur verwendet.