Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.35: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Herstellung von Leuchtdioden und Wellenleiterstrukturen auf der Basis von GaN mit ECR-MBE — •Michael Reinhardt, Jürgen Müller, Ralph Werner und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Mittels ECR-MBE wurden (In)GaN Leuchtdioden auf der Basis verschiedener Heterostrukturen hergestellt. Durch Verwendung eines externen Magneten, der das beschleunigende Potential für Ionen aus der Plasmaquelle herabsetzt, konnten Schichten hoher Qualität bei Wachstumsraten von 300-600 nm/h epitaktisch gewachsen werden. Photolumineszenzuntersuchungen ergeben eine Halbwertsbreite der bandkantennahen Rekombination von weniger als 5 meV. Die n und p Dotierung erfolgte mit Si und Mg. Die Dioden zeigen eine Knickspannung von ca. 5V und sehr gute Sperreigenschaften bis -10V. Die Elektrolumineszenzspektren bei Raumtemperatur liegen im Bereich um 390 nm (GaN) und 420 nm (InGaN). Außerdem wurden auf GaN/AlGaN-Wellenleiterstrukturen mittels Elektronenstrahllithographie und reaktiven Ionen-ätzverfahren DFB-Gitter 1. Ordnung realisiert. Diese zeigen bei Raumtemperatur und optischer Hochanregung für Gitterperioden zwischen 85 nm und 87 nm longitudinal einmodige Laserspektren.