Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.40: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Untersuchung von Tunnelströmen an Feldeffekttransistoren mit Dreifachdielektrikum — •H. Bachhofer1,2, H. Reisinger1, B. Hasler3, E. Bertagnolli1 und H. von Philipsborn2 — 1SIEMENS AG, ZT ME 1, D-81730 München — 2Universität Regensburg, Fakultät Physik, D-93040 Regensburg — 3SIEMENS AG, HL MP E TF, D-81730 München
Feldeffekttransistoren mit ONO-Dreifachdielektrikum SiO2-Si3N4-SiO2 kommen in der Si-Halbleitertechnologie als nichtflüchtige Speicher zum Einsatz. Dabei zeigen Transistoren mit Bor-dotiertem polykristallinen Gate gegenüber herkömmlichen Transistoren mit n-dotiertem Gate bei vergleichbaren Programmierzeiten und -spannungen eine um Größenordnungen verbesserte Datenhaltung [1]. Auf der Grundlage des Transportmodells von Arnett [2] wurden die auftretenden transienten Vorgänge numerisch simuliert. Für die Beschreibung des Ladungstransports im Nitrid wird neben Poisson- und Kontinuitätsgleichung zusätzlich eine Ratengleichung benötigt, welche den Einfang und die Emission von Elektronen aus Haftstellen modelliert. Für Transistoren dieser Art wurden an Kapazitätsstrukturen Tunnelströme im Dielektrikum gemessen und mit den berechneten Ergebnissen verglichen.
[1] H. Reisinger, M. Franosch, B. Hasler und T. Böhm, 1997 Symp. on VLSI Technol. Dig. of Tech. Papers, 113
[2] P.C. Arnett, J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 12, 5236 (1975)