Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.41: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Implantation integrierter IPG-FET Schaltungen durch fokussierte Ionenstrahlen — •C. Wiemann, M. Versen und A.D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Universitätsstraße 150, D-44780 Bochum
Mit einem fokussierten 100 keV Ga-Ionenstrahl (Fokusdurchmesser <100 nm) werden Sourceschaltungen und logische Gatter aus in-plane-gate (IPG)-Feldeffekttransistoren in In19Ga81As-pHEMTs maskenlos integriert. In den durch isolierende Linien geschriebenen Kanälen wird die Sättigungsdriftgeschwindigkeit der Ladungsträger ab etwa 1 V angelegter Spannung erreicht, so daß aktive Lastwiderstände durch vorgeschaltete Kanäle herstellbar sind. Diese stellen zusammen mit einem steuerbaren Transistor eine vollständig integrierte Source-Schaltung nach IPG-Prinzip dar. In dc-Messungen zeigt dieser Inverter einen über die Versorgungsspannung (4 V−7 V) steuerbaren Schalthub von 1.5 V−4 V. Durch Hinzufügen einer einzelnen Isolationslinie erreicht man das Schaltverhalten eines NAND-Gates. Weiterhin wird die Abhängigkeit des Schaltverhaltens von der Implantationsgeometrie, sowie die ac-Eigenschaften dieser Schaltungen in Bezug auf Frequenzgang und Kapazitätsveränderungen bei verschiedenen Geometrien vorgestellt. Die Herstellungstechnik m ittels isolierender FIB(focused-ion-beam)-Linien in der leitfähigen pHEMT-Schicht erübrigt einen Großteil der elektrischen Leitungen zwischen den Einzelbauelementen.