Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.68: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Nitridschichten auf 6H–SiC Oberflächen — •M. Rohleder, V. van Elsbergen und W. Mönch — Laboratorium für Festkörperphysik, Gerhard–Mercator–Universität Duisburg, Lotharstrasse 1–21, D–47048 Duisburg

Die Wechselwirkung von Stickstoff mit unterschiedlich rekonstruierten 6H–SiC Oberflächen und dünnen Si Adschichten auf Si–terminierten SiC Oberflächen wurde untersucht. Die Si–terminierten Proben wurden zunächst in gepufferte HF eingetaucht und anschließend im UHV in einem Si Atomstrahl geheizt. C–terminierte Flächen wurden in verdünnte HF gegeben und nachfolgend bei 1170 K im UHV angelassen. Stickstoffangebote erfolgten mit einer RF Plasmaquelle. Die Nitrierung der SiC Oberflächen wurde mit XPS charakterisiert. Bei Zimmertemperatur zeigt sich zunächst ein linearer Anstieg der Intensität des Stickstoffsignals bevor die Aufnahme nach längeren Angebotszeiten sättigt. Unsere experimentellen Ergebnisse deuten auf die Ausbildung einer ca. 6 Å dicken Nitridschicht auf bulk–truncated 6H–SiC Oberflächen durch Anionenaustausch hin. Die Dicke der Nitridschicht kann auf etwa 12 Å vergrößert werden, wenn die Probentemperatur während der Nitrierung auf 1100 K erhöht wird. Dickere Nitridschichten erhalten wir, wenn wir dünne Si Schichten auf den SiC Oberflächen abscheiden und nachfolgend nitrieren. Die Stickstoffaufnahme von Si–reichen und bulk–truncated Flächen unterscheidet sich deutlich. Dies führen wir auf unterschiedliche Nitierungsmechanismen, einerseits Diffusion und andererseits Anionenaustausch, zurück.