Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.70: Poster

Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A

Elektronische Struktur von SiC-Polytypen und -Heterostrukturen — •R. Stubner, R. Winkler und O. Pankratov — Institut für Technische Physik III, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7-B2, 91058 Erlangen

SiC ist ein Halbleiter, der in letzter Zeit verstärkt untersucht wird, da er sich wegen seiner großen Bandlücke ( ≈ 3 eV) und großen Ladungsträgerbeweglichkeit unter anderem für Hochtemperatur- und Hochfrequenz-Anwendungen eignet. Zudem sind etwa 200 verschiedene SiC-Polytypen bekannt. Diese weisen verschiedene Bandlücken auf, unterscheiden sich aber in den atomaren Abständen kaum. Deshalb ergeben sich interessante Anwendungsmöglichkeiten für Polytyp-Polytyp-Heterostrukturen. Die Kristallstruktur der verschiedenen Polytypen läßt sich als Überstruktur auffassen, die aus um 60^∘ gegeneinander verdrehten Schichten der kubischen 3C-SiC Phase aufgebaut ist. Dies motiviert einen einheitlichen Ansatz für die elektronischen Struktur der verschiedenen Polytypen und der aus ihnen gebildeten Heterostrukturen. Eine wesentliche Rolle spielt dabei die Grenzfläche zwischen zwei gegeneinander verdrehten 3C-SiC Schichten. Wir haben ein k · p-Modell für ein System mit einer solchen Grenzfläche entwickelt. Die mit diesem Modell erzielten Ergebnisse sowie Vergleichsrechnungen im Rahmen der ab initio Dichtefunktionaltheorie sollen vorgestellt werden.