Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.77: Poster
Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A
Poröses TiO2: TOF-Untersuchungen — •Thomas Dittrich1, Energui Lebedev2 und Josef Weidmann3 — 1Physik Department E16, Technische Universität, 85748 Garching — 2A.F. Ioffe Physico Technical Institut, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia — 3INAP GmbH, Munscheidstr. 14, 45886 Gelsenkirchen
Poröses TiO2 kann aufgrund seiner relativ wohl definierten Grenzfläche als Modellsystem für Transportuntersuchungen in granularen Medien betrachtet werden. Mit Hilfe von Flugzeitmessungen (TOF) kann man Aussagen über die Beweglichkeit von photoinduzierten oder elektrisch injizierten Ladungsträgern treffen. TOF untersuchungen wurden an por-TiO2 im Vakuum und in O2 Atmosphäre im Temperaturbereich zwischen 0 und 100∘C durchgeführt. Für photoinduzierte negative Ladungsträger liegt die Beweglichkeit bei 10-5 cm2/Vs und ist feldunabhängig. Die Beweglichkeiten für Ionen liegen ca 2..3 Größenordnungen darunter.