Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.89: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Strukturuntersuchung an hochgeordneten epitaktischen CuInS2-Schichten — •R. Hunger1, D.S. Su1, R. Scheer1, M. Giersig1, A. Darhuber2, G. Bauer2, H.J. Lewerenz1 und A. Krost3 — 1Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Bereich Physikalische Chemie — 2Institut füer Halbleiterphysik, Universität Linz — 3Institut füer Festkörperphysik, Technische Universität Berlin
CuInS2-Filme wurden mittels Molekularstrahlepitaxie mit einer Schichtdicke von ca. 100 nm auf Si(111) abgeschieden und durch Transmissionselektronenmikroskopie und hochauflösender Röntgenbeugung untersucht. TEM-Querschnitts-Aufnahmen zeigen, daß ueber einem stark gestörten grenzflächennahen Bereich defektarmes Volumenmaterial aufwächst. Die beiden Wachstumsphasen werden auch in Rocking Kurven (Doppelkristalldiffraktometrie) und ω-scans (Dreiachsenspektrometer) nachgewiesen. Für Cu-reiche Präparation besitzt das Filmvolumen nahezu perfekte Kristallordnung, denn die Halbwertsbreite des (112) Reflexes in den ω-2θ-scans ist nur durch die endliche Schichtdicke und in den ω-scans durch das Auflösungsvermögen der Apparatur (10−5) begrenzt. Die Ergebnisse legen nahe, daß die durch die Gitterfehlanpassung induzierten Defekte effektiv in der gestörten Grenzflächenschicht lokalisiert werden und das defektfreie Aufwachsen der Volumenschicht ermöglichen.