Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.98: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Herstellung schmaler GaAs–Quantendrähte mit anodischer
Oxidation und naßchemischem Ätzen — •T. Otterburg, H. Eggers, T. O. Wiegard, F. Rademacher, C. Schüller, S. Bargstädt–Franke, Ch. Heyn und D. Heitmann — Universität Hamburg, Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg

Basierend auf undotierten GaAs–AlGaAs–Quantenwells werden mit holographischer Lithographie und Reaktiv–Ionenätzen (RIE) Quantendrähte mit einer Breite von 80–100 nm hergestellt. Zur Beobachtung von Quantisierungseffekten an Exzitonen sind kleinere Drahtbreiten erforderlich. Diese werden erreicht, indem die mit RIE definierten Quantendrähte mit anodischer Oxidation oder naßchemischem Ätzen nachträglich behandelt werden. Dabei werden Strukturbreiten unterhalb 30 nm erreicht. Insbesondere wird der Aspekt der Oberflächenpassivierung durch das Oxid betrachtet. Dazu wird der Einfluß der verschiedenen Präparationsverfahren auf die Photolumineszenzintensität untersucht. 1D–Exzitonen werden durch die diamagnetische Verschiebung des hh₁–e₁–1S–Exzitons nachgewiesen.