Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Photovoltaik IV

HL 26.4: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 11:15–11:30, H13

Großflächige (n) a-Si:H/ (p) c-Si Heterosolarzelle — •Reza Hussein, Dietmar Borchert und Günter Grabosch — FernUniversität Hagen, Fachbereich Elektrotechnik, Lehrgebiet Bauelemente der Elektrotechnik, Postfach 940, 58084 Hagen, Germany

Mit den a-Si/c-Si Heterosolarzellen können die Vorteile der amorphen Dünnschichttechnologie, wie z. B. niedrige Prozeß- temperaturen, großflächige Abscheidemöglichkeiten und einfache Prozessierung, mit den Vorteilen der kristallinen Technologie, nämlich gutes Ausgangsmaterial kombiniert werden. Mit Hilfe dieser Technik kann man einerseits hohe Wirkungsgrade erzielen und andererseits die Prozesskosten niedrig halten. Über 11% Wirkungsgrad und 72% Füllfaktor wurden bei 38cm² a-Si/c-Si Heterosolarzellen erreicht. Es wurde die einfachste Struktur der Form Metallgrid/ITO/(n) a-Si/(p)c-Si/Al hergestellt. Wichtig ist bei diesen Zellen die Gestaltung der Metallisierungsmaske mit Fingern und Sammelbus. Um die Homogenität der Flächen zu untersuchen, wurden LBIC-Messungen durchgeführt. Die Ergebnisse werden auf der Tagung vorgestellt.