Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: GaN III
HL 27.7: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 12:00–12:15, H15
Transientes Vierwellenmischen an Exzitonen in GaN — •R. Zimmermann1, M.R. Hofmann1, A. Euteneuer1, J. Möbius1, D. Weber1, W.W. Rühle1, E.O. Göbel2, B.K. Meyer3, H. Amano4 und A. Akasaki4 — 1Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften,
Philipps–Universität, D–35032 Marburg, Germany — 2Physikalisch–Technische Bundesanstalt, D–38116 Braunschweig, Germany — 31. Physikalisches Institut der Universität Gießen, Heinrich–Buff–Ring 16, D–35393 Giessen — 4Department of Electrical and Electronic Engineering, Meiji University, 1–501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya 468-01 Japan
Die genaue Bestimmung der exzitonischen Struktur in GaN ist in linearen
optischen Messungen durch starke inhomogene Verbreiterung sehr erschwert.
Transientes Vierwellenmischen erlaubt dagegen eine von inhomogener
Verbreiterung ungestörte Bestimmung von Bandabständen zwischen
Exzitonen und von deren homogener Linienbreite.
Wir haben mittels transienter Vierwellenmischexperimente an einer
hexagonalen Volumen–GaN–Probe
den genauen Abstand zwischen A- und B-Exziton zu (7,98±0,03)meV
und die Biexziton–Bindungsenergie zu (5,7±0,3)meV bestimmt.
Die Abhängigkeit der homogenen Verbreiterung
von Temperatur und Anregungsdichte liefert den
Exziton–Phonon–Streukoeffizienten γph=8,2µeV/K,
den Exziton–Exziton–Streukoeffizienten γxx=2,2 und
eine intrinsische homogene Verbreiterung von Γ00=1,73meV.