Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 28: Epitaxie
HL 28.1: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 10:30–10:45, H14
Wachstum von AlAsxSb1−x mittels LP-MOVPE — •M. Beerbom1, Ch. Giesen1, X. Xu2 und K. Heime1 — 1Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl I, RWTH Aachen, Templergraben 55, D-52056 Aachen — 2jetzt: Simon Fraser University, Dep. of Physics, Burnaby, Canada
Auf InAs gitterangepaßte AlAs0,16Sb0,84-Schichten sollen als Cladding-Material in einem IR-Laser verwendet werden, dessen aktive Schicht ein InAs/InAsSb-Übergitter ist. Zur Optimierung des Wachstums von AlAsxSb1−x wurden 0,5 bis 1 µm dicke Schichten auf InAs mit Niederdruck-MOVPE hergestellt. Als Quellmaterialien wurden Tritertiärbutylaluminium (TTBAl), Tertiärbutylarsin (TBAs) und Triethylantimon (TESb) verwendet; als Trägergas diente Wasserstoff. TTBAl wurde verwendet, da diese Quelle im Gegensatz zu den Standardquellen Trimethylaluminium (TMAl) und Triethylaluminium (TEAl) schwächere Al-C-Bindungen aufweist. Dies sollte zu einer Reduktion des Kohlenstoffeinbaus und somit zu besseren elektrischen Schichteigenschaften führen. Strukturell wurden die Schichten mittels Vierkristallröntgendiffraktometrie charakterisiert. Zur elektrischen Charakterisierung mittels van-der-Pauw-Hallmessungen wurden die Schichten zusätzlich auf semiisolierendem GaAs abgeschieden. Es konnten Schichten mit Beweglichkeiten von bis zu µ300K= 291 cm2/V s bei Ladungsträgerkonzentrationen von p300K= 2,9· 1016 cm−3 hergestellt werden.