Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Epitaxie

HL 28.7: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 12:00–12:15, H14

Modellbildung zur Submonolagen-Epitaxie von Verbindungshalbleitern — •Ch. Heyn, T. Franke und R. Anton — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstr 11, D-20355 Hamburg

Die Eigenschaften von mit Molekularstrahlepitaxie hergestellten Halbleiterkristallen werden entscheidend von kinetischen Prozessen auf der wachsenden Oberfläche, wie Oberflächendiffusion oder Keimbildung, bestimmt. Theoretische Modelle beschreiben das Kristallwachstum durch die Dichten von Adatomen und zweidimensionalen Wachstumsinseln. In dieser Arbeit wird untersucht, wie weit aktuelle theoretische Ansätze auch auf die komplexe Situation beim Wachstum von Verbindungshalbleitern angewendet werden können. Dazu wird das Verhalten von simulierten Oberflächenstrukturen mit den theoretischen Vorhersagen verglichen. Die Computersimulation zum Wachstum von GaAs basiert auf der Oberflächendiffusion von sowohl schnellen Ga-Atomen als auch langsamen GaAs Molekülen, und zeigt sehr gute Übereinstimmung mit experimentellem Verhalten [Heyn and Harsdorff, PRB 55 (1997), Heyn et al., PRB 56 (1997)].