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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Bauelemente I

HL 5.9: Talk

Monday, March 23, 1998, 12:30–12:45, H17

Bestimmung von Kanallängen und der Lage von pn-Übergängen mit Niederenergie-EBIC — •Martin Kittler — Institut für Halbleiterphysik, Walter-Korsing-Str. 2, 15230 Frankfurt (Oder)

Die fortschreitende Verkleinerung der Transistorabmessungen in der Si-Mikroelektronik entsprechend der SIA-Roadmap erfordert geeignete hochauflösende Messverfahren zur Bestimmung der Dotandenverteilung. Mit Niederenergie-EBIC (Strahlenergie 1-2 keV) kann -entgegen traditioneller Ansichten- eine Auflösung besser als 10 nm erreicht werden. Die Tiefenauflösung von pn-Übergängen an flachen Schrägschliffen ist nach geeigneter Behandlung (hohe Oberflächen-Rekombination) besser als 10 nm. Die Kanallänge von FETs kann mittels Schottky- EBIC mit einer Genauigkeit um 10 nm bestimmt werden. Die Kontur von Source- und Draingebieten kann ebenfalls mittels Schottky- EBIC am Schrägschliff hochauflösend abgebildet werden. Inwieweit eine Analyse der EBIC-Signalverteilung Aussagen über die 2D Dotanden-Verteilung ermöglicht, muß noch unter Hinzuziehung von Modellrechnungen geklärt werden.