Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

M: Metallphysik

M 26: Kristallplastizität II

M 26.10: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 18:10–18:30, H 38

Punktdefektgeneration bei der Versetzungsbewegung — •Christian Hübner, Reinhard Krause-Rehberg und Hartmut S. Leipner — Uni Halle, Fachbereich Physik, D-06099 Halle (Saale)

GaAs-Einkristalle sowie polykristalline Aluminium- und Kupferproben wurden in Kompression verformt. Die Temperatur der Verformung betrug zwischen 300 ^∘C und 600 ^∘C für die GaAs-Einkristalle und 77 K für die Metallproben. Die durch die Deformation generierten Defekte wurden mittels Positronenlebensdauerspektroskopie untersucht. In allen Proben konnten nach der Deformation Defekte nachgewiesen werden, deren hohe Positronenlebensdauer auf ein offenes Volumen hinweist, das deutlich größer als das einer Einfachleerstelle ist. Diese Defekte werden mit Leerstellenagglomeraten identifiziert. Die Agglomerate bilden sich bei einer Temperatur, die unter der Temperatur der Leerstellenwanderung liegt. Es wird ein Modell für die Bildung dieser Agglomerate presentiert. Bei Deformation unterschiedlich orientierter Proben zeigt sich, daß die Konzentration der generierten Defekte von der Zahl der aktivierten Gleitsysteme abhängt, was mit einer unterschiedlichen Dichte durch Schneidprozesse entstandener Jogs begründet werden kann.