Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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M: Metallphysik
M 27: Elektronische Strukturen und Eigenschaften II
M 27.4: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 16:10–16:30, H 39
Die elektronischen Eigenschaften von URu2Si2 zwischen 10meV und 9,5eV — •J. Lammers1, M. Broschwitz1, U. Barkow1, R. Schulz1, J. Schoenes1, P. Monachesi2, M.S.S. Brooks3, T. Wethkamp4, K. Wilmers4, N. Esser5, B. Becker6, A. Menovsky7, N. Patil7 und F. Hulliger8 — 1Institut für Halbleiterphysik und Optik, TU Braunschweig, Mendelssohnstraße 3, D-38106 Braunschweig — 2Università dell’ Aquila — 3ITU Karlsruhe — 4MPI Stuttgart — 5TU Berlin — 6U. Leiden — 7U. Amsterdam — 8ETH Zürich
Die optischen Eigenschaften von URu2Si2 wurden aus Reflexionsmessungen zwischen 10meV und 6eV und Ellipsometrie von 1,1eV bis 9,5eV ermittelt. Zur Verbindung der Reflexionsmessungen mit der Ellipsometrie wird eine Kramers-Kronig-Transformation der Reflexionsdaten durchgeführt, wobei für Energien unterhalb von 10meV eine Extrapolation mit Hilfe der Gleichstromleitfähigkeit nach Hagen-Rubens erfolgt. URu2Si2 ist optisch anisotrop; die Messungen wurden daher mit polarisierter Strahlung an Proben unterschiedlich orientierter Oberflächen durchgeführt.
Die so ermittelten optischen Größen werden theoretischen Berechnungen gegenübergestellt. Dabei wird auch ein Vergleich mit dem System LaRu2Si2 vorgenommen, das bei gleicher Kristallstruktur signifikante Unterschiede in der Elektronenkonfiguration aufweist.