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VA: Vakuumphysik und Vakuumtechnik

VA 5: Vakuumverfahrenstechnik 2

VA 5.1: Hauptvortrag

Dienstag, 24. März 1998, 13:30–14:10, H48

Technologie und Equipment zur Züchtung von Silizium-Einkristallen mit Durchmessern von 300 mm und mehr — •B. Altekrüger — Leybold Systems GmbH, Hanau

Auch nach der Jahrhundertwende werden einkristalline Silizium-Wafer das vorherrschende Ausgangsmaterial der fortschreitenden Entwicklung der Mikroelektronik bleiben. Die stetige Zunahme der Funktionalität und der Integrationsdichte pro Chip bei wachsenden Verarbeitungsgeschwindigkeiten wird sich zumindest noch in den kommenden ein bis zwei Jahrzehnten fortsetzen. Dies bedeutet weiter steigende Anforderungen sowohl an die Größe als auch an die Perfektion der zu züchtenden Si-Einkristalle. Aus technologischen und ökonomischen Gründen findet zur Zeit die Einführung der 300 mm Si-Technologie statt. Die immer größeren Anforderungen an die Leistungsfähigkeit der Chips werden durch die fortschreitende Miniaturisierung sowie zusätzlich durch eine Vergrößerung der Chipfläche und damit auch - aus wirtschaftlichen Gründen - durch eine Vergrößerung der Si-Wafer aufgefangen. Es wird auf die physikalischen und praktischen Probleme und Grenzen des CZ-Si-Züchtungsprozesses als auch auf die damit zusammenhängenden Anforderungen an das Equipment zur Züchtung von 300 mm Kristallen eingegangen. Der Beitrag von Leybold Systems zur Equipment-Technologie wird anhand der neuen Ziehanlagen-Generation EKZ 3000 / 300 sowie erster Züchtungsergebnisse von 300 mm Si-Kristallen vorgestellt. Es wird ein Ausblick auf die weitere Entwicklung gegeben.