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AM: Magnetismus

AM 8: Magnetowiderstand und Magnetoimpedanz II

AM 8.1: Invited Talk

Tuesday, March 23, 1999, 14:30–15:00, F5

Spin-Transport in Metall-Halbleiter-Heterostrukturen — •G. Bayreuther — Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg

metallischen Ferromagnetismus mit den elektronischen Eigenschaften von Halbleitern ist die Basis neuartiger Bauelemente, welche man dem entstehenden Gebiet der Magneto- oder Spin-Elektronik zuordnet. Es wurden verschiedene Hybrid-Strukturen vorgeschlagen, bei denen – neben der Elektronenladung wie in der etablierten Elektronik – der Spin des Elektrons explizit zur Steuerung des Stroms genutzt wird. Bei vielen denkbaren Modellstrukturen (Spin-Feldeffekttransistor, Spin-Tunneldiode, Spin-Leuchtdiode etc.) muss zunächst die Injektion spinpolarisierter Elektronen aus einem ferromagnetischen Metall in den Halbleiter beherrscht werden, sodann der Transport spinpolarisierter Elektronen im Halbleiter und schliesslich die Spin-Detektion. Im Vortrag werden die damit verbundenen Probleme, der gegenwärtige Stand der Experimente und mögliche Anwendungen diskutiert.

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