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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Quantenpunkte und Quantendr
ähte I
HL 11.1: Talk
Monday, March 22, 1999, 16:00–16:15, H4
SNOM-induzierte Photolumineszenz an einzelnen InGaAs-Quantenpunkten bei Temperaturen zwischen 300 und 4 K — •J. Lorbacher, I. Manke, J.L. Spithoven, F. Heinrichsdorff und M. Dähne-Prietsch — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin, Germany
Mit einem neukonstruierten Tieftemperatur-SNOM haben wir die Photolumineszenz von In0,4Ga0,6As-Quantenpunkten bei Temperaturen zwischen 300 K und 4 K untersucht. Dabei wurden geätzte und mit einem Metallfilm bedampfte Glasfaserspitzen in interner Reflektionsgeometrie eingesetzt, deren hohe Transmission Experimente an einzelnen Quantenpunkten mit ausreichender Intensität nahezu ohne Untergrund ermöglicht. Das reine Lumineszenzspektrum eines einzelnen Quantenpunkts läßt sich durch Lorentzkurven beschreiben, mit einer endlichen Linienbreite zwischen 10 und 20 meV bei Raumtemperatur, die sich auf unter 1 meV bei 4 K verringert. Dieses Verhalten deutet auf einen Lebensdauereffekt durch thermisch angeregte Ladungsträger in den Quantenpunkten hin. Außerdem wurden Experimente mit Fernfelddetektion des Lumineszenzsignals durchgeführt, bei denen Diffusionseffekte der angeregten Ladungsträger zu einer stark verringerten räumlichen Auflösung führen.