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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.102: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

Photounterstütztes Wachstum von ZnSe auf GaAs und
C(In,Ga)(S,Se)₂ mit MOCVD. — •U. Fiedeler, T. Kampschulte, S. Siebentritt, J. Albert und M. Ch. Lux-Steiner — Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin

Ziel der Untersuchung von ZnSe ist die Herstellung von Cd freien Pufferschichten in Chalkopyrit-Solarzellen. Um die thermische Belastung der Solarzellen während der Prozessierung zu reduzieren, wurde photounterstütztes Wachstum von ZnSe in einer MOCVD Anlage untersucht. Mit Hilfe einer Xe-Lampe konnte die Wachstumsrate bei einer Temperatur von 280^∘C auf GaAs und CIGSS bei gleichem Materialeinsatz verdoppelt werden.
Nach der bisher verbreiteten Vorstellung wird die Wachstumsbeschleunigung durch die im ZnSe photoelektrisch erzeugten Ladungsträger hervorgerufen. Da solche ZnSe-Filme als ca. 20 nm dicke Pufferschicht in CIGSS-Solarzellen dienen sollen, steht die Frage des Einflusses der im Substrat erzeugten Ladungsträger auf den Wachstumsprozess im Mittelpunkt.
Untersucht wird weiterhin, der Einfluß der Beleuchtungsstärke auf die Wachstumsrate beim Angebot unterschiedlicher VI/II-Verhältnisses. Letztlich werden CIGSS-Solarzellen unter unterschiedlichen Prozessbedingungen hergestellt und elektronisch (I/V, QE) charakterisiert.