Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.12: Poster
Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z
Der Einflu"s von Arsen auf die Grenzfl"ache Sn/InP(001) — •R.K. Gebhardt1, S. Sloboshanin2, and T. Chassé1 — 1Wilhelm-Ostwald-Institut f"ur Physikal. und Theor. Chemie, Universit"at Leipzig — 2Institut f"ur Physik, TU Ilmenau
Im Vergleich der Auswirkungen verschiedener Oberfl"achenmodifizierungen
auf die
Ag/InP(001)- und Sn/InP(001)-Grenzfl"achen untersuchten wir den Effekt
einer
Arsen-Zwischenlage auf die Grenzfl"achenreaktion, den
Wachstumsmechanismus und
die elektronische Barriere im System Sn/InP(001). Die reine,
(2×4)-rekonstruierte InP(001)-Oberfl"ache wurde durch mehrere
Sputter-/Ausheil-Zyklen pr"apariert. As wurde als As4 bei
Raumtemperatur
aufgedampft. Mittels Rumpfniveau-Photoemission (BESSY, TGM 3) ist
an der
Sn/InP(001)-(2×4)-Grenzfl"ache eine Reaktion und die Formierung
einer
In/Sn-Legierung zu beobachten, welche dreidimensionales Wachstum der
Zinnschichten
zur Folge hat. Die Arsenbelegung l"a"st die (2×4)-Rekonstruktion
zur
(1×1) umschlagen und passiviert die Oberfl"ache gegen eine
Reaktion mit dem
Zinn. Zudem zeigen die Schw"achungskurven der In 4d-Linie, da"s das Zinn
bis zu einer
nominellen Dicke von 1nm lagenweise aufw"achst. Danach werden auch an
dieser
modifizierten Grenzfl"ache Inseln beobachtet. Die Resultate werden mit
den Ergebnissen
des Systems Ag/As/InP(001) verglichen.
Wir danken H.-J. Freund und K. Horn (FHI Berlin) f"ur die technische
sowie dem
BMBF f"ur die finanzielle F"orderung.