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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.15: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Rücksprungexperimente und Oszillationen am Si-Flußsäure-Kontakt — •G. Hasse, J. Carstensen, G. Popkirov und H. Föll — Technische Fakultät, CAU Kiel, Kaiserstr.2, 24143 Kiel

Bei der anodischen Auflösung von Silizium in HF-haltigen Elektrolyten ist die Oxidation des

Siliziums einer von zwei wesentlichen Prozessen.

Durch die Messung transienter Ströme aus Suboxidladungen ist die Dynamik der Oxidbildung

und -auflösung mittels Rücksprungexperimente quantitativ erfaßt worden. Mit speziell

angepaßten Geräten sind dabei erstmals Messungen im Spannungsbereich der Bildung von

nanoporösem Silizium (PSL) und galvanostatischer Oszillationen vorgenommen worden.

Auch im PSL-Bereich mißt man entgegen allgemein akzeptierter Theorien ein Oxid, wobei zwei

gegenläufige Prozesse den Zusammenhang zwischen Strom und Oxidladung bestimmen.

Bei galvanostatischen Oszillationen schwankt die durch transiente Strompeaks gemessene integrale

Ladung mit dem U(t)-Verlauf stark. Außerdem zeigt sich eine systematische

Formänderung der Peaks mit der Spannung. Ein darauf aufbauendes Modell der galvanostatischen

Oszillationen wird vorgestellt.