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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.25: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

Untersuchungen zur Degradation von grünen ZnSe-Lasern — •Peter Grabs, Hans-Jürgen Lugauer, Markus Keim, Lars Han-sen, David Albert, Andreas Waag und Gottfried Landwehr — Physikalisches Institut der Universität Würzburg; Am Hubland; 97074 Würzburg

Wegen der Möglichkeit des gitterangepassten Wachstums auf GaAs-Substraten und wegen ihrer großen Bandlücken eignen sich Berylliumchalkogenide als Ausgangsmaterial für optoelektronische Bauelemente im blau/grünen Spektralbereich. Ihre begrenzte Lebensdauer ist ein Hauptproblem bei der praktischen Anwendung dieser Bauelemente. Aus diesem Grund wurde die Alterung von II-VI-Halbleiterlasern untersucht. Die Degradationsmechanismen sind sehr stark vom Design der Laser abhängig. Insbesondere die Gestaltung der aktiven Zone ist ein bestimmender Faktor. Es wurden LEDs mit ZnCdSe-Quantentrögen, ZnSe-Quantentrögen und CdSe-Inseln als aktive Zone untersucht. Trotz der niedrigen Defektdichten (ca. 8· 10³/cm²) verläuft die Degradation teilweise über die Bildung von Dark-Spot- und Dark-Line-Defects. Die experimentellen Ergebnisse deuten darauf hin, daß die Verspannung der aktiven Zone eine wichtige Rolle für die Ausbreitung von ausgedehnten Defekten darstellt. Darauf aufbauend werden Vorschläge für neue Laserdesigns abgeleitet und erste Resultate präsentiert.