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Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.37: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Halleffekt-Untersuchungen des 71As71Ge71Ga -Übergangs in GaAs — •C. von Nathusius1, R. Vianden1 und Isolde-Kollaboration21Institut für Strahlen- und Kernphysik, Universität Bonn, Nußallee 14-16, D-53115 Bonn — 2Isolde-Kollaboration, CERN Geneve, CH

Untersuchungen der Implantation von 71As in GaAs haben die Bildung des GaAs-Antisite-Defekts nachgewiesen. Das in einem Temperschritt auf dem As-Platz eingebaute 71As zerfällt über 71Ge zum 71Ga. Während der in der Zerfallskaskade entstehende GeAs-Defekt Akzeptorcharakter zeigt, hat GaAs Akzeptor- oder kompensierendes Verhalten gezeigt. Zur Untersuchung dieses uneinheitlichen elektischen Verhaltens wurden weitere Hall-Effekt- und Widerstandsmessungen an verschiedenen mit 71As dotierten GaAs-Poben durchgefuehrt.

[1] G.Rohrlack et.al., Nucl.Instr.Meth. B (1995), B106 (no. 1-4), p.267-70

[2] R.Magerle et.al., Mater.Science Forum (1997), vol.258-163, pt.2, p.945-50

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