Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.91: Poster
Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z
Beeinflussung der optischen Eigenschaften von AlGaAs/GaAs - Quantentöpfen durch ionenstrahlunterstützte Diffusion — •Cedrik Meier, Soheyla Eshlaghi und Andreas D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität-Bochum, Universitätsstrasse 150, 44801 Bochum
Die optischen Eigenschaften von Quantentopf–Heterostrukturen werden maßgeblich durch die Subbandenergieniveaus bestimmt. Wichtige Parameter
für die Lage der Subbänder sind neben Barrierenhöhe auch Breite und Form des Potentialtopfes V(z). In AlxGa1−xAs/GaAs–Systemen kann die Diffusion von Aluminium aus der umgebenden Barriere in den GaAs-Quantentopf aufgrund der unterschiedlichen Energielücken zu einer Verformung des abrupten Potentialüberganges führen. Daraus folgt eine Verschiebung der Subbandniveaus und damit eine Modifikation der optischen Eigenschaften des Schichtsystems. Es wird gezeigt, daß durch Implantation von fokussierten Ga+–Ionen und nachfolgendem thermischen Ausheilschritt die Diffusionskonstante lokal um bis zu 3 Größenordnungen erhöht werden kann. Dies wird durch Photolumineszenz–Messungen bei tiefen Temperaturen unter Zuhilfenahme
eines theoretischen Modells bestätigt. Es ist beabsichtigt, diese
Technik
zur Herstellung von optisch aktiven Quantendrähten einzusetzen.
Eine von uns (S. E.) wurde freundlicherweise durch das
Graduiertenkolleg 50
„Festkörperspektroskopie“ an der Universität Dortmund
unterstützt.