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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Quantenpunkte und Quantendr
ähte III

HL 22.8: Talk

Tuesday, March 23, 1999, 17:45–18:00, H4

Polarisationsabhängige Photostromspektroskopie an InAs/GaAs-Quantenpunkten — •Liwen Chu, Markus Arzberger, Artur Zrenner, Gerhard Böhm und Gerhard Abstreiter — Walter-Schottky-Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, 85748 Garching

Polarisationsabhängige Photostromspektroskopie wurde an einer graded index separate confinement heterostructure (GRINSCH) durchgeführt, wobei die selbstorganisierten InAs/GaAs-Quantenpunkte in die intrinsische Schicht einer p-i-n-Diode eingebettet wurden. Die optisch erzeugten Ladungsträgerpaare werden im eingebauten Feld getrennt und an den Kontakten als Kurzschlußstrom gemessen. Da die Zustände in den Quantenpunkten durch spektral aufgelöstes Licht angeregt werden, spiegelt die Photostromspektroskopie an einer p-i-n-Diode die Absorption der Quantenpunkte und die mit der Energie steigende Tunnelwahrscheinlichkeit der Ladungsträger wider. Mit transversal elektrisch (TE) bzw. transversal magnetisch (TM) polarisiertem Anregungslicht zeigen die schweren und die leichten Löcher wie im Quantentopf unterschiedliches Absorptionsverhalten. Da am Grundzustandsübergang bei den ungekoppelten Quantenpunkten nur TE-polarisiertes Licht absorbiert wird, läßt dies den Schluß zu, daß nur die schweren Löcher am Übergang beteiligt sind. Bei den gekoppelten Quantenpunkten dagegen wird auch TM-polarisiertes Licht am Grundzustandsübergang absorbiert, wobei die Absorption stärker ist als im Fall der ungekoppelten Quantenpunkte. Dies deutet daraufhin, daß im Gegensatz zum Quantentopf auch die schweren Löcher durch das TM-polarisierte Licht angeregt werden können.