Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: Poster II
HL 23.100: Poster
Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z
Simulation von Quantenbauelementen — •R. Wetzler1, G. Zandler2 und P. Vogl2 — 1TU Berlin, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin — 2Walter-Schottky-Institut, Am Coulombwall, D-85748 Garching
Die Strukturierung von Halbleitern auf Längenskalen der
Fermiwellenlänge der Ladungsträger resultiert in einer
Veränderung der elektronischen Eigenschaften dieser Materialien
aufgrund quantenmechanischer Effekte.
Dies eröffnet eine Vielzahl von interessanten
Anwendungsmöglichkeiten wie z.B. die Herstellung thermisch stabiler Laser mit
besonders niedrigem Schwellstrom, Einzelektronen-Bauelemente und schnelle
optische Modulatoren.
Zur Charakterisierung solcher Strukturen stellen wir ein neuartiges Drift-Diffusions-Modell vor, das eine konsistente Implementierung von gebundenen Zuständen und Tunnelstrombeiträgen durch beliebige Barrierengeometrien ermöglicht. Letztere werden durch verallgemeinerte Rekombinations- und Generationsprozesse im Rahmen der WKB-Methode in den Stromgleichungen berücksichtigt. Die Ladungsträgerdichte wird konsequent in lokalisierte und delokalisierte Anteile zerlegt. Konsistent mit ihrem gebundenen Charakter, gehen die lokalisierten Anteile nicht in die Kontinuitätsgleichungen der verallgemeinerten DD-Gleichungen ein. Die Leistungsfähigkeit des vorgestellten Modells wird anhand von typischen Geometrien im Vergleich zu experimentellen Ergebnissen untersucht.