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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.104: Poster

Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z

Untersuchung zur elektronischen und strukturellen Modifizierung von InAs- und InSb-Oberflächen nach dem reaktiven Ionenstrahlätzen mittels Ramanspektroskopie — •Frank Frost1, Gerd Lippold2, Axel Schindler1 und Frieder Bigl11Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstr. 15, D-04318 Leipzig — 2Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentalphysik II, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig

Im Rahmen dieser Arbeit wurden die durch das (reaktive)

Ionenstrahlätzen (RIBE) hervorgerufenen elektronischen

und strukturellen Schäden an InAs- und InSb-Oberflächen sehr

oberflächensensitiv mittels Resonanz-Ramanspektroskopie unter

Verwendung verschiedener Rückstreugeometrien untersucht.

Die Untersuchungen zeigten, daß es bei beiden Materialien

unabhängig von den Prozeßparametern Ionenenergie (200 eV

bis 750 eV) und Gaszusammensetzung (N2 bzw. Ar)

immer zur Ausbildung von defekt-induzierten

Elektronen-Akkumulationsschichten an den jeweiligen

Oberflächen kommt.

Die Elektronenkonzentration in diesen Schichten sowie deren

Ausdehnung nimmt für kleinere Ionenenergien ab und ist

abhängig vom verwendeten Prozeßgas.

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