Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.105: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Untersuchungen zum Aufrauhungs- und Glättungsmechanismus von AIII/BV-Halbleiteroberflächen beim Ionenstrahlätzen — •Frank Frost, Dietmar Hirsch, Axel Schindler und Frieder Bigl — Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstr. 15, D-04318 Leipzig

In dieser Arbeit werden Untersuchungen zur Entwicklung der

Oberflächentopographie und Mikrorauhigkeit verschiedener

AIII/BV-Halbleiteroberflächen beim Ionenstrahlätzen

(IBE) mittels Rastekraftmikroskopie vorgestellt. In

Abhängigkeit der Prozeßparameter und der Topographie der

Ausgangsoberflächen ist es möglich die Rauhigkeit der

jeweiligen Oberflächen drastisch zu reduzieren (z. B. die

rms-Rauhigkeit von AlGaAs-Oberflächen von ca. 14 nm auf unter

0.2 nm oder die rms-Rauhigkeit von InSb-Oberflächen von

ca. 40 nm auf unter 1 nm).

Die gemessenen Oberflächentopographien werden unter Verwendung

der „power spectral density – PSD“ Funktion in

Abhängigkeit der Ortswellenlänge analysiert und die

beobachteten Glättungs- und Aufrauhungseffekte unter Beachtung verschiedener

an der Oberfläche ablaufender Effekte (z. B. der

Oberflächendiffusion, örtliche Variation der Abtragsrate

durch lokale Unterschiede im Ioneneinfallswinkel) diskutiert.