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HL: Halbleiterphysik
HL 23: Poster II
HL 23.33: Poster
Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z
Diffusion von CO2 in SiO2 — •Christof Köhler, Zoltan Hajnal und Thomas Frauenheim — Universität-GH Paderborn, Fachbereich 6/Theoretische Physik, 33095 Paderborn
Wir zeigen erste Ergebnisse unserer Berechnung zur Diffusion von CO bzw. CO2 in SiO2. Diese spielt bei der theoretisch noch unbefriedigend behandelten Oxidation von SiC eine Rolle. Dabei verwenden wir ein kürzlich entwickeltes dichtefunktional basiertes tight-binding Verfahren mit ladungsselbstkonsistenz [1]. Diese Verfahren wurde schon in [2] bei der Bestimmung der Diffusionsbarrieren im Zusammenhang mit dem Wachstum von CVD Diamantoberflächen verwendet.
[1] M. Elstner et al., Phys. Rev. B 58(11), 7260 (1998)
[2] M. Kaukonen et. al., Phys. Rev. B 57(16), 9965 (1998)