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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.38: Poster

Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z

Identifizierung einzelner Bor- und Phosphor-Dotieratome auf der Si(111) Oberfläche durch Rastertunnelmikroskopie ^∗ — •M. Schöck, C. Sürgers und H. v. Löhneysen — Physikalisches Institut, Universität Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe

Bor-dotierte Czochralski-gezogene Si-Einkristalle werden im UHV gespalten und im Rastertunnelmikroskop untersucht. Einzelne Boratome auf der Si(111)-Oberfläche können durch Tunnelspektroskopie identifiziert werden. Die von Größe und Polarität der Tunnelspannung abhängigen Merkmale der Bor-Defekte werden vorgestellt und mit den bereits bekannten Charakteristika der Phosphor-Defekte verglichen [1]. Die Effekte werden erklärt durch eine lokale energetische Verschiebung der Si-Oberflächenzustände durch das Coulomb-Potential des Dotieratoms, die für B-Akzeptoren und P-Donatoren ein unterschiedliches Vorzeichen hat. Die Verteilung der Atome auf der Oberfläche wird für verschiedene

Konzentrationen n≤ 6× 10¹⁹cm⁻³ statistisch ausgewertet. Für beide Systeme kann ein Clustern der Dotieratome ausgeschlossen werden.
^∗ gefördert durch die DFG, SFB 195
T. Trappmann, C. Sürgers, H. v. Löhneysen, Europhys. Lett. 38, 177 (1997)