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HL: Halbleiterphysik
HL 23: Poster II
HL 23.76: Poster
Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z
MOVPE von GaAsN mit Tertiärbutylhydrazin — •M. Klein, K. Knorr, T. Schmidtling, U. W. Pohl und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, Sekretariat PN 6-1, Technische Universität Berlin, Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin
Die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) von GaAs1−xNx erfordert niedrige Wachstumstemperaturen zum Erzielen hoher Stickstoff-Konzentrationen x. Die stabile Standardquelle NH3 ist hierfür nicht geeignet. Wir haben für die Epitaxie von GaAsN auf GaAs erfolgreich Tertiärbutylhydrazin (tBHy) als alternative Stickstoffquelle eingesetzt.
Es wurde die Variation in der Wachstumstemperatur (530∘C bis 600∘C) und des pN/(pN+pAs)-Angebots untersucht. Zusätzlich wurden die Arsenquellen AsH3 und Tertiärbutylarsin (tBAs) bezüglich des Stickstoffeinbauverhaltens verglichen.
Der Einfluß des Stickstoffs auf die Oberflächenrekonstruktion und die Wachstumsrate wurde in-situ mit Reflexions Anisotropie Spektroskopie (RAS) bestimmt. Die strukturelle Qualität von relaxierten und unrelaxierten Schichten wurde mittels Röntgenbeugung und spektoskopischer Ellipsometrie ex-situ charakterisiert.