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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.85: Poster

Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z

Einfluß des Trägergases auf die p- und n-Dotierung von mit MOVPE hergestelltem AlInP und AlGaInP für DH-AlGaInP-LEDs — •D. Gauer1, T. Hauck1, H. Hardtdegen1, K. Wirtz1, U. Breuer2, H. Holzbrecher2, D. Schmitz3 und M. Heuken31FZ Jülich, Institut für Schicht- und Ionentechnik — 2FZ Jülich, Zentralabteilung für Chemische Analysen — 3AIXTRON AG, Aachen

Die MOVPE von UHB-AlGaInP-LED-Strukturen in Wasserstoffatmosphäre ist Standardverfahren. Bisherige Forschungsergebnisse [1] weisen jedoch auf verbesserte Epitaxiebedingungen unter Stickstoffatmosphäre hin. So konnten z.B. Homogenität und Effizienz gesteigert werden, von der erhöhten Prozeßsicherheit ganz abgesehen.
In diesem Beitrag werden die Auswirkungen des Trägergastausches auf die Dotierungen der Mantelschichtsysteme Al0,54In0,46P und (Al0,7Ga0,3)0,52In0,48P für orange-gelbe LEDs vorgestellt. So zeigen die mittels Hall-Messungen und SIMS (secondary ion mass spectrometry) erhaltenen Daten u.a., daß die schwierige p-Dotierung von AlInP mit Cp2Mg unter N2 höhere Akzeptorkonzentrationen liefert als unter H2. Dieses sowie die n-Dotierung von (Al0,7Ga0,3)0,52In0,48P mit Disilan werden diskutiert und verglichen.

[1] M.Hollfelder et al. J. Crystal Growth 170, 103 (1997)

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