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HL: Halbleiterphysik
HL 24: III-V Halbleiter
HL 24.11: Talk
Wednesday, March 24, 1999, 17:30–17:45, BOT
Optisch Detektierte Magnetische Resonanz an AlSb/AlAs Multi-Quantenwells — •M. W. Bayerl1, M. S. Brandt1, M. Stutzmann1, E. R. Glaser2 und B. R. Bennett2 — 1Walter Schottky Institut, TU-München, Am Coulombwall, 85748 Garching — 2Naval Research Laboratory, Washington D.C. 20375-5347
Im Gegensatz zu Aluminiumantimonid- und Aluminiumarsenid-Volumenmaterial zeigen [(AlSb)x(AlAs)1]n Multi-Quantenwells starke Lumineszenzbanden mit typischen Lebensdauern von 10µs-100µs. Diese werden mit Hilfe von Photolumineszenz- (PL) und winkelabhängigen Optisch Detektierten Magnetischen Resonanzuntersuchungen (ODMR) bei 24 und 34 GHz charakterisiert. Die Lumineszenz wird einer exzitonischen TypII-Rekombination von Elektronen in den AlAs-Quantentöpfen mit Löchern im AlSb zugeordnet. Die ODMR Experimente zeigen eine spinabhängige Kopplung von Elektronen zwischen benachbarten AlAs-Ebenen. Durch Variation der Dicke der AlSb-Schichten kann der Charakter der Wellenfunktion der Leitungsbandelektronen im AlAs sowie die Kopplungsstärke zwischen benachbarten AlAs-Schichten variiert werden. Dadurch können Aufspaltungen von bis zu 353mT in [(AlSb)8(AlAs)1]120 bei paralleler Ausrichtung von externem Magnetfeld und [001] Wachstumsrichtung beobachtet werden.