Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 26: II-VI Halbleiter
HL 26.2: Vortrag
Mittwoch, 24. März 1999, 15:15–15:30, H4
Vergleich von Kompensation in GaN:Mg und InGaN — •U. von Gfug1, J. Holst1, T. Lüttgert1, A. Hoffmann1, M. Heuken2, M. Schwambera2 und O. Schön2 — 1Institut f. Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, 52072 Aachen
Wir präsentieren Ergebnisse von intensitätsabhängigen
Photolumineszenzmessungen bei tiefen Temperaturen an GaN:Mg und
InGaN–Schichten. Die untersuchten Proben sind unterschiedlich
stark dotiert und mit der Methode
Metal-Organic-Chemical-Vaphor-Deposition (MOCVD) bei
verschiedenen Wachstumsbedingungen hergestellt.
In Mg–dotiertem GaN konnte nachgewiesen werden, daß Infolge des
Mg–Einbaus die Konzentration von intrinsischen Störstellen,
die als Donatoren wirken, erhöht und dadurch die p–Leitung
kompensiert wird. Für die Kompensation in InGaN kann ein
ähnliches Modell wie bei hochdotierten GaN:Mg–Proben zur
Erklärung herangezogen werden.