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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 26: II-VI Halbleiter

HL 26.2: Talk

Wednesday, March 24, 1999, 15:15–15:30, H4

Vergleich von Kompensation in GaN:Mg und InGaN — •U. von Gfug1, J. Holst1, T. Lüttgert1, A. Hoffmann1, M. Heuken2, M. Schwambera2 und O. Schön21Institut f. Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, 52072 Aachen

Wir präsentieren Ergebnisse von intensitätsabhängigen

Photolumineszenzmessungen bei tiefen Temperaturen an GaN:Mg und

InGaN–Schichten. Die untersuchten Proben sind unterschiedlich

stark dotiert und mit der Methode

Metal-Organic-Chemical-Vaphor-Deposition (MOCVD) bei

verschiedenen Wachstumsbedingungen hergestellt.
In Mg–dotiertem GaN konnte nachgewiesen werden, daß Infolge des

Mg–Einbaus die Konzentration von intrinsischen Störstellen,

die als Donatoren wirken, erhöht und dadurch die p–Leitung

kompensiert wird. Für die Kompensation in InGaN kann ein

ähnliches Modell wie bei hochdotierten GaN:Mg–Proben zur

Erklärung herangezogen werden.

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