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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 26: II-VI Halbleiter

HL 26.8: Talk

Wednesday, March 24, 1999, 16:45–17:00, H4

Lokalisierte exzitonische Prozesse in (Zn,Cd)Se Strukturen — •M. Straßburg — Institut f. Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Durch die Lokalisierung von Ladungsträgern an Inseln,

Kompositionsfluktuationen und Grenzflächenrauhigkeiten

ergeben sich neuartige elektronische Eigenschaften, aus denen

ein breites Anwendungspotential für opto–elektronische und

elektronische Bauelemente (z.B. Laserdiode,

Einzel–Elektron–Transistor) resultiert. Mit Hilfe von

Monolagen- und Submonolagen–Deposition können lokalisierte

exzitonische Komplexe, wie Exzitonen und Biexzitonen, in

II–VI Breitband–Halbleiterstrukturen exakt präpariert

werden.
Aufgrund des starken Confinements besitzen die lokalisierten,

exzitonischen Komplexe große Bindungsenergien und hohe

Oszilatorstärken. Sie sind unter hohen Anregungsdichten

stabil. Es wird gezeigt, daß die in diesen Strukturen

auftretenden Verstärkungsmechanismen durch exzitonische

Prozesse generiert werden und diese einen hohen biexzitonischen

Gain von 150 cm−1 besitzen. In kurzperiodigen

Übergitterstrukturen tritt in Abhängigkeit von der

Barrierendicke ein Wechsel der Polarisation der Kantenemission

auf, was durch eine Veränderung der Lokalisierungszentren

bewirkt wird. Weitere Erkenntnisse über die Art der

Lokalisierung werden durch Anregungsspektroskopie und

magneto–optische Untersuchungen ermittelt.

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