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HL: Halbleiterphysik

HL 30: Epitaxie

HL 30.4: Talk

Thursday, March 25, 1999, 11:15–11:30, H3

Epitaxie auf verdreht gebondeten dünnen Schichten aus (100) GaAs — •St. Senz, P. Kopperschmidt, G. Kästner und U. Gösele — Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Halle (Saale)

Wenn statt des üblichen etwa einen halben Millimeter dicken Substrates ein nur wenige Nanometer dünnes Substrat für die Epitaxie von Schichten mit Gitterfehlpassung verwendet wird, sollte es möglich sein, eine Relaxation der Spannung in der Schicht ohne den Einbau von durchstossenden Versetzungen zu erreichen. Diese dünnen Substrate müssen stabilisiert werden, und eine Idee ist es, die Schicht verdreht auf einen Trägerkristall aufzubringen. Dazu wurden verdreht gebondete dünne Schichten aus (100) GaAs auf (100) GaAs Substrate übertragen. Diese dünnen Schichten werden als Substrat für das epitaktische Wachstum von InGaAs Filmen mit variabler Gitterfehlpassung verwendet. Die Spannungsrelaxation in diesen Schichten wird verglichen mit als Referenz gewachsenen Schichten auf normalen Substraten. Verwendete Methoden sind Transmissionselektronenmikroskopie, Röntgendiffraktometrie und Rasterkraftmikroskopie.

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