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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 37: Halbleiterlaser II

HL 37.1: Talk

Thursday, March 25, 1999, 16:00–16:15, H4

Oberflächenemittierende (GaIn)(NAs)/GaAs Laserstrukturen für 1,3 µm Emissionwellenlänge — •C. Ellmers, F. Höhnsdorf, J. Koch, C. Agert, S. Leu, D. Karaiskaj, M.R. Hofmann, W. Stolz und W.W. Rühle — Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität, Renthof 5,
D-35032 Marburg

Oberflächenemittierende Halbleiterlaser bei 1,3 und 1,5 µm konnten sich bisher nicht durchsetzen. Hauptgrund ist, daß im (GaIn)(PAs)/InP Materialsystem, dem Standardsystem für kantenemittierende Laser in diesem Spektralbereich, keine epitaktischen Schichten mit genügend grossem Brechungsindexkontrast für hochreflektierende Bragg-Reflektoren zur Verfügung stehen. Eine neue Alternative bieten hier (GaIn)(NAs) Quantenfilme, da sie im Wellenlängenbereich von 1,3 bis sogar 1,5 µm emittieren und gitterangepaßt auf GaAs gewachsen werden können. Damit sind vollepitaktische Mikroresonatorlaser mit hochreflektierenden AlAs/GaAs basierenden Bragg-Reflektoren realisierbar.
Wir haben (GaIn)(NAs)/GaAs Mikroresonatorlaser für ultraschnelle
Emissionsdynamik nahe 1,3 µm bei Raumtemperatur entworfen und mit metallorganischer Gasphasenepitaxie erstmals realisiert. Bei Anregung mit einem 100 fs Laser beobachten wir Pulsbreiten der stimulierten Emission von 10,5 ps. Zeitintegrierte Spektren zeigen Emissionswellenlängen zwischen 1,26 und 1,285 µm sowie niedrige Laserschwellwerte von 1,6 bis 2,3 kW/cm2. Diese Resultate zeigen, daß (GaIn)(NAs) ein sehr gut geeignetes Material für ultraschnelle oberflächenemittierende Laser bei 1,3 µm ist.

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