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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Heterostrukturen I

HL 4.5: Talk

Monday, March 22, 1999, 11:30–11:45, H3

Anticrossing von Energieniveaus in InGaAs doppel-quantum-well Strukturen — •H.S. Fresser¹, F.E. Prins¹, D.A. Wharam¹, D.P. Kern¹, J. Böttcher² und H. Künzel² — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Tübingen, Auf der Morgenstelle 10, 72076 Tübingen — ²Heinrich-Hertz-Institut für Nachrichtentechnik, Einsteinufer 37, 10587 Berlin

Das Verhalten der Energieniveaus von InGaAs doppel-quantum-well (DQW) Strukturen wurde mittels Magnetotransportmessungen untersucht. Bringt man solche DQW Strukturen in Resonanz spalten die Energieniveaus in einen symmetrischen und einen antisymmetrischen Zustand auf, die Elektronenwellen sind dann über beide wells ausgedehnt. Mittels eines Gates lassen sich die Energieniveaus relativ zueinander verschieben, dabei gelangt man von anfänglich unterschiedlichen Energieniveaus bis zu einer minimalen Energiedifferenz im Resonanzfall, eben der Differenz zwischen symmetrischen und antisymmetrischen Energieniveau. Bei weiterer Verschiebung wächst diese Differenz dann wieder an, die Niveaus durchlaufen ein Anticrossing. Magnetotransportmessungen an InGaAs quantum-wells, 9 nm und 7 nm, getrennt durch eine 4.5 nm InAlAs Barriere, wurden in Abhänigkeit einer Frontgate Spannung durchgeführt. Die Auswertung der Spektren von SdH-Oszillationen mittels FFT Analyse liefern Evidenz für ein solches Anticrossing Verhalten.