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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: Optische Eigenschaften II

HL 43.3: Talk

Friday, March 26, 1999, 10:00–10:15, H3

Elektrooptische Untersuchungen höherer Bandübergänge in quaternären III-V Halbleitern aus InGaAsP — •C. Reh und G. Weiser — Fachbereich Physik und Wiss. Zentrum für Materialwissenschaften der Philipps-Universität Marburg

Die kritischen Punkte der Zustandsdichte von In1−xGaxAsyP1−y Volumenhalbleitern oberhalb des fundamentalen Gaps wurden mittels Reflexions- (1-10eV) und Elektroreflexionsspektroskopie (1-5.5eV) bei tiefen Temperaturen untersucht und über eine Kramers-Kronig Transformation analysiert. Ausgewertet wurden die Verschiebungen der Energielücken und die Spinbahnaufspaltungen am Γ (E0, E0, Δ0, Δ′0)-, am L (E1, Δ1)- und am X (E2)-Punkt über das gesamte Mischungssystem hinweg. An den verschiedenen Energielücken werden deutlich unterschiedliche Bowingparameter erhalten. Am L-Punkt (E1, E11) wurde die Linienform des Elektroreflexionsspektrums quantitativ mit dem Franz-Keldysh Effekt verglichen, um Information über die Art der Singularität (M0 oder M1) und die Streurate zu erhalten. Während bei InP am L-Punkt eine M0 Singularität vorliegt, wird bei den anderen Legierungen ein Sattelpunkt (M1) beobachtet.

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