Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 44: Photovoltaik III

HL 44.5: Talk

Friday, March 26, 1999, 13:15–13:30, H3

Herstellung und Charakterisierung von Niedertemperatur Schichtemittern für kristalline Silizium Solarzellen — •Klaus Lips, Jutta Platen, Stephan Brehme, Ina Sieber, Lothar Elstner und Walther Fuhs — Hahn-Meitner-Institut, Abt. Photovoltaik, Rudower Chaussee 5, 12489 Berlin

Die Emitter von einkristallinem Silizium werden üblicherweise

in einem Hochtemperaturprozeß hergestellt. Wir berichten hier

über die Entwicklung von n- und p-dotierten Emittern, die

mittels einer Plasmadeposition(ECR-CVD) bei

Substrattemperaturen von 325^∘C hergestellt worden sind.

Die Schichten sind durch Hall-Messungen, hochauflösender TEM,

XRD sowie durch Lumineszenzuntersuchungen charakterisiert.

Wir finden, daß die Emitterschichten trotz der sehr niedrigen

Substrattemperatur epitaktisch wachsen. Mit diesem technologisch

sehr interessanten Verfahren lassen sich auf Anhieb

Zellenwirkungsgrade von über 14% erreichen. Limitierungen des

epitaktischen Wachstums werden diskutiert.